GaAs/AlAs超晶格多层膜膜厚标准物质

Multi-layer thin film thickness CRM of GaAs/AlAs superlattice

GaAs/AlAs 超晶格多层膜膜厚标准物质可用于与多个厚度尺寸相关的设备校准，包括表面分析设备，如俄歇电子光谱仪、X 射线光电能谱仪及二次离子质谱仪的溅射速率校准；以及用于透射电镜的 10 万倍到 30 万倍的中倍放大倍率校准。

一、样品制备

采用分子束外延生长方法，在 GaAs(100)基底上生长每层膜厚名义量值为 10 nm 的GaAs/AlAs 超晶格 3 周期，切割为 20 mm ´ 20 mm 的正方形，经定值测量后采用铝箔包装袋真空包装。

二、溯源性及定值方法

采用掠入射 X 射线反射技术为样品定值，此设备为计量校准装置，角度溯源至多齿分度台标准装置，入射光波长溯源至单晶硅晶格参数。通过使用满足计量学特性要求的测量方法和计量器具保证其量值溯源性。

三、特性量值及不确定度

本标准物质是 6 层结构的多层膜。样品在定值和使用过程中会在表面形成一层氧化或污染层， 其量值仅供参考。从第二层到第六层标准值及扩展不确定度见下表：

不确定度评定中考虑了测量过程、测量设备、均匀性及稳定性等引入的不确定度分量。四、均匀性检验及稳定性考察

依据 JJF1343-2012《标准物质定值的通用原则及统计学原理》要求，对该标准物质样品随机抽样进行均匀性检验和一年稳定性的监测。

检验结果表明该标准物质均匀性、稳定性良好，研制单位将继续跟踪监测该标准物质的稳定性， 有效期内如发现量值变化，将及时通知用户。

五、包装、储存及使用

包装：本标准物质内包装为半导体封装盒，外包装为铝箔真空袋，每包装为一片，20 mm ´ 20 mm；储存：真空包装，阴凉、干燥处存放；

使用注意事项：样品开封使用应保证取样工具等洁净避免沾污。建议本标准物质开封后用于一次检定/校准活动，在确保使用后无变形、无污染时可多次使用，但其量值仅可作为期间核查。

注：以上信息仅供参考，以产品附带证书为准。